近日，為全面推進杭州市集成電路產業高質量發展，杭州市人民政府發布《關于促進集成電路產業高質量發展的實施意見》（以下簡稱“《實施意見》”）。

圖片來源：杭州市人民政府官網截圖

《實施意見》指出杭州市未來五大發展目標，分別為產業能級倍增、空間布局合理、新能力提升、平臺服務強化、產業風險可控。

產業能級倍增。打造長三角集成電路核心城市，會同寧波市、紹興市、嘉興市協同打造環杭州灣集成電路核心產業集聚區。到2025年，集成電路產業規模實現800億元、沖刺1000億元，年均增長20%；培育營收百億元企業1—2家、50億元企業3家以上、10億元企業10家以上；在設計制造、化合物半導體、半導體核心材料、關鍵設備及零部件等領域，培育一批“專精特新”中小企業。

空間布局合理。打造“一核一廊多點”空間格局。“一核”即濱江創新核，強化國家集成電路設計杭州產業化基地和杭州國家“芯火”雙創基地作用，打造高端芯片產業優質生態。“一廊”即城西科創大走廊，充分發揮大走廊體制優勢，會同拱墅、臨平等地，在高端芯片、核心材料、關鍵設備、支撐軟件等領域形成一批重大創新成果。“多點”即以錢塘區、蕭山區、富陽區、桐廬縣、余杭區為重點，引培重大制造產線，推進重大項目建設，打造國家級特色工藝半導體制造基地，爭創省級萬畝千億產業平臺。

創新能力提升。到2025年，在人工智能芯片、視覺處理芯片、服務器芯片、車規級芯片、量子計算芯片、類腦計算芯片、化合物半導體等前沿領域形成一批創新成果，集成電路重點企業研發費用占營業收入比超5%。

平臺服務強化。培育集成電路集群促進機構，加強平臺服務功能，支持龍頭企業創建高端芯片、特色工藝、化合物半導體等技術研發中心，每年新增企業研發機構5家（含）以上。

產業風險可控。落實國家集成電路重大項目行業指導制度。規范市域項目布局，集中資源支持高端項目，避免重復建設一般項目。壓實重大項目市場主體責任，嚴格落實國家動態監管要求，加強項目全生命周期管理。

《實施意見》明確了五項重點任務，包括實施高端設計引領行動、實施特色制造提升行動、實施特色制造提升行動、實施平臺能級躍升行動、實施長三角協同攻關行動。

實施高端設計引領行動。推進集成電路高端芯片研發計劃和產業鏈協同創新項目，大力發展高端模擬芯片和數模混合芯片。以濱江區、城西科創大走廊、臨平區為重點，提升發展射頻傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅動、電源管理、RISC-V、物聯網智能硬件、車規級、FBAR濾波器、存算一體等新型專用芯片；創新發展嵌入式系統、存儲器、處理器、服務器等高端通用芯片；培育發展類腦計算、邊緣計算、量子計算、柔性電子、化合物半導體等前沿技術產品。

實施特色制造提升行動。構建特色工藝芯片制造產線，培育百億級鏈主企業。支持采取CMOS、MOSFET等工藝技術，發展IGBT、智能傳感器、MEMS、FinFET、半導體激光器、光電器件等產品。支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁等化合物半導體項目建設。以錢塘區、蕭山區、富陽區、桐廬縣、余杭區為重點，支持成熟制程成套工藝芯片制造產線項目。支持城西科創大走廊規劃建設高端存儲重大項目。

實施關鍵材料設備攻關行動。以濱江區、錢塘區、富陽區、臨安區、蕭山區、余杭區、臨平區、建德市為重點，支持大尺寸硅片等關鍵材料的研發攻關；提升光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、功能高分子材料等的自給率和本地化配套率；提高電路測試、分選、超潔凈流控系統、半導體外延、化學機械平坦化拋光等設備的研制能力，突破一批關鍵核心技術。

實施平臺能級躍升行動。提升杭州國家“芯火”雙創基地、浙江省集成電路創新中心、錢塘芯谷、鎵谷射頻產業園、臨安云制造小鎮、杭州集成電路測試服務中心等平臺的運營服務水平，促進創新基地、研發平臺和產業基地的聯動發展。依托骨干企業、科研院所構建中小企業孵化平臺，為初創企業提供技術開發、信貸融資、市場推廣、法律訴訟、知識產權等指導服務。

實施長三角協同攻關行動。探索長三角協同攻關“揭榜掛帥”機制，推動長三角區域芯片、軟件和終端企業多方聯動，圍繞終端系統需求部署開展協同攻關，構建自主可控IP核布局。打造長三角“芯機聯動”對接平臺，支撐重大應用場景的開發。

在政策措施方面，《實施意見》中指出，要組織集成電路領域重大科技攻關。圍繞集成電路核心器件、高端芯片、關鍵材料、核心設備、EDA工具等，開展市級重大科技攻關。鼓勵企業牽頭承擔國家、省技術攻關任務，對獲批國家、省重大項目的，按照有關政策給予支持。鼓勵企業申報“中國芯”等行業獎項。

要加大首次流片、關鍵材料、核心設備和EDA工具的支持。對重點支持領域的高端芯片產品，首次流片費用1000萬元以上的，按照不超過其流片費用的15%給予補助，最高補助2000萬元；對集成電路關鍵材料、核心設備等自主研發投入5000萬元以上并實現實際銷售的，按照不超過其研發投入的15%給予補助，最高補助5000萬元；對開展EDA工具技術攻關，自主研發投入1000萬元以上并實現實際銷售的，按照不超過其自主研發投入的15%給予補助，最高補助2000萬元。

要支持公共平臺建設。對提供EDA工具和IP核、設計解決方案、先進工藝流片、先進封測服務、測試驗證等設備，用于高端芯片支撐服務的集成電路公共技術平臺，其實際建設投入在5億元以上的，完工后按投資額的6%給予補助，最高補助5000萬元。對公共服務平臺（機構）按其服務中小企業收入的10%給予補助，最高補助1000萬元。支持本市集成電路產業平臺服務長三角企業技術研發和產業合作